各投標

11) *顆粒控制<20 @0.5um

12) *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等

13) *Boat可旋轉(zhuǎn)

14) *設備在先進封裝領(lǐng)域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產(chǎn)經(jīng)驗，裝機量≥2臺

15) 具備快速降溫能力”

修改為：

三、設備技術(shù)指標

PI Curing爐要求能夠達到如下性能指標：

1）*適用200mm notch晶圓工藝，可cover晶圓厚度400~2000um

2）*支持wafer翹曲度≤±3mm

3）*溫度控制精度：±1℃（150℃~600℃）

4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm

5）*需配備Gas管路: O2，N2

6）*Batch size ≥75片

7）*MTBF大于250小時，uptime ≥90%

8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs

9)  *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等。

10)  *顆粒控制<20 @0.5um

11)  *Wafer材質(zhì)兼容Si，EMC，bonding等

12)  *設備在先進封裝領(lǐng)域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產(chǎn)經(jīng)驗，裝機量≥2臺

13)  具備快速降溫能力

3、
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